一、投资热潮印证产业风口：碳化硅车规级市场爆发前夜
1. 十年资本布局图谱
2012-2019年：国内累计落地26个碳化硅项目，总投资超120亿元，聚焦衬底材料研发；
2020年爆发期：32个新项目集中启动，投资额突破560亿元，器件封装产线占比提升至45%；
2021年产能竞赛：12个重大项目签约，涉及8英寸晶圆产线建设，单笔最高投资达300亿元（三安光电长沙基地）。
2. 车规级市场价值锚点
认证壁垒：消费级→工业级→车规级认证周期从6个月延长至3-5年，可靠性测试标准提升10倍；
市场规模：2030年车用碳化硅功率器件市场规模预计达500亿美元，占第三代半导体总份额的62%。
二、技术突围战：碳化硅VS硅基器件的三大主战场
1. 主逆变器：续航里程决胜点
性能优势：特斯拉Model 3全SiC模块实现续航提升10%，充电效率优化30%；
成本挑战：SiC逆变器单价仍为硅基方案的2.5倍（2023年数据）。
2. 车载充电机（OBC）：渗透率超车先锋
技术替代进度：比亚迪汉、蔚来ET7等30+车型实现SiC OBC量产，成本差距收窄至1.8倍；
供应链动态：英飞凌与上汽成立联合实验室，开发定制化OBC解决方案。
3. DC-DC转换器：系统集成化突破口
模块化设计：安森美推出集成SiC MOSFET的ALL-in-One方案，体积缩小40%；
国产进展：斯达半导发布车规级DC-DC模块，通过AEC-Q101认证。
三、供应链攻坚战：突破车规认证的三大战略要地
1. 晶圆流片技术攻坚
三代半晶圆流片良率：
6英寸SiC晶圆流片良率突破75%（2023年行业均值）；
8英寸产线量产良率仍低于50%，长晶速度需提升至2mm/h以上。
车规芯片流片标准：
零缺陷管理（ZDM）体系导入，DPPM（百万缺陷率）需＜10；
晶圆级老化测试（WLBI）时长≥1000小时。
2. 产能管理体系建设
产能爬坡模型：
Tier1供应商要求月产能≥5万片（折合6英寸）；
衬底-外延-流片-封测全链条产能匹配误差需＜15%。
案例参考：
Wolfspeed与奔驰签订10年碳化硅供应协议，锁定8亿美元产能；
天科合达启动二期扩产，2025年目标产能30万片/年。
3. 产业协同生态构建
国产替代联盟范例：
中车时代电气联合中科院物理所攻关PVT长晶设备国产化；
华为哈勃投资天岳先进、瞻芯电子等企业，布局IDM模式。
四、市场渗透路线图：价格拐点与国产窗口期预判
1. 成本下降技术路径
| 技术方向 | 降本贡献率 | 实施阶段 |
|---|---|---|
| 8英寸衬底量产 | 35% | 2024-2026年 |
| 激光剥离工艺优化 | 18% | 已商用 |
| 流片缺陷AI检测 | 12% | 实验室验证期 |
2. 渗透率增长预测
高端车型：2025年SiC主逆变器渗透率将达45%（宝马iX、蔚来ET9等）；
主流市场：2030年A级车SiC模块搭载率预计突破30%，成本需降至$0.08/cm²；
国产替代窗口：2025-2028年为本土企业进入Tier1供应链黄金期。
五、制胜法则：车规级碳化硅企业的三维竞争力模型
技术纵深能力
掌握8英寸晶圆流片全制程工艺
开发车规级SiC MOSFET抗雪崩失效技术
产能韧性管理
构建数字化孪生工厂实现良率实时优化
建立12英寸兼容性产线技术储备
生态协同效率
与OEM共建联合实验室缩短认证周期
参与ISO 26262功能安全标准制定
碳化硅车规级应用的竞争本质是“技术迭代速度”与“量产成本曲线”的赛跑。在国产替代的历史性机遇下，唯有突破晶圆流片关键技术瓶颈、构建车规级制造体系、深度绑定下游生态，方能在这场千亿级产业变革中占据制高点。
苏州森晖半导体里主要致力于碳化硅晶圆流片，三代半晶圆流片，车规芯片的晶圆流片，有效提高8英寸SiC流片良率、提升车规级认证周期